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細胞損傷儀

  • 更新時間:2024-10-11
  • 訪  問  量:380

簡要描述:細胞損傷儀(CellInjuryControllerII)采取電子式控制,適合腦源性細胞培養(yǎng)樣品,或其它離體培養(yǎng)細胞的牽張性(strain-inducedtrauma)損傷模型制作

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產(chǎn)品詳情

細胞損傷儀(Cell Injury Controller II)采取電子式控制,適合腦源性細胞培養(yǎng)樣品,或其它離體培養(yǎng)細胞的牽張性(strain-induced trauma)損傷模型制作。損傷后可進行神經(jīng)生化、形態(tài)學、生理學,藥物干預(yù)等方面的研究。

 

細胞損傷控制儀設(shè)計的組織培養(yǎng)系統(tǒng)。細胞損傷控制儀把壓縮氣體送到每個培養(yǎng)室,以造成培養(yǎng)組織牽張性的損傷,損傷的嚴重程度是通過控制進出密閉培養(yǎng)室的氣體量來實現(xiàn)。培養(yǎng)室的峰值壓力同時被記錄下來,這個數(shù)值可以用來精確地表明引起牽張性細胞損傷的氣壓值。


細胞損傷控制儀(CIC II)可以搭配Flex I® 29.45cm2 culturing trays I (針對VCU早期的細胞損傷控制儀)或BioFlex® 57.75cm2 culturing trays。


根據(jù)所采用的細胞種類、損傷的程度、培養(yǎng)的狀況,受損后的細胞或許會因為上述因素死亡或修復(fù),所以VCU的細胞損傷控制儀(CIC II)很適合應(yīng)用在下列損傷反應(yīng)研究:細胞受損、修護,死亡,藥物介入。


 


主要技術(shù)參數(shù):

采用電子式控制,適合腦源性細胞培養(yǎng)樣品的制作

適合細胞受損、修護,死亡,藥物介入等方面研究

使用Flexcell Int’l corp組織培養(yǎng)系統(tǒng)

帶獨立的細胞培養(yǎng)室,通過控制輸入的氣體量實現(xiàn)細胞損傷

膜伸展程度:120%-155%

膜變形范圍:5.5mm-7.5mm

傷等效峰值壓力范圍:8.2-11.5PSI

培養(yǎng)室的峰值壓力可被實時被記錄下來

可以搭配Flex I® 29.45cm2 culturing trays I或BioFlex® 57.75cm2 culturing trays。

 


    

    

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